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SiA513DJ
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.4
0.3
I D = 2.5 A
10
T J = 150 °C
0.2
T A = 125 °C
0.1
1
T J = 25 °C
0.0
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
2
3
4
5
1.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source
1.1
15
I D = 250 μA
1.0
10
0.9
5
0.8
0.7
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
10
Limited b y
R DS(on) *
100 μs
P u lse (s)
Single Pulse Power
1
0.1
T A = 25 °C
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
Single P u lse
BVDSS Limited
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 70443
S-80437-Rev. B, 03-Mar-08
www.vishay.com
9
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